设为首页 | 加入收藏

  

闪存芯片市场新增产能下半年或将受到限制

发布日期:2019-10-22 17:22   来源:未知   阅读:

  分析人士认为,随着三星以及现代半导体公司削减NAND闪存产能,以及消费类电子制造商对闪存库存的消耗,08年下半年闪存芯片市场的新增产能将受到限制。

  据报道,闪存制造业界预计,在8月份下旬闪存芯片市场上的主流产品8GB和16GB的NAND闪存芯片的合同价格将双双下滑10%。

  三星电子以及SanDisk都对未来的NAND闪存市场持悲观态度,由于NAND闪存价格一路下滑,从而引发厂商失去对该市场信心。与此同时,两家消费类电子公司目前在NADA闪存芯片上的充足库存,也促使了NADA闪存芯片价格的进一步下滑。

  据了解,作为当前的主流闪存芯片存储容量,16GB的NAND闪存芯片的现货价格跌至约2.7美元,接近于08年年初时8GBNAND闪存芯片价格。

  分析人士认为,随着三星以及现代半导体公司削减NAND闪存产能,以及消费类电子制造商对闪存库存的消耗,08年下半年闪存芯片市场的新增产能将受到限制。

  本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

  据businesskorea报道,SK海力士基于96层4D NAND技术开发了一种one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)闪存芯片。具有更大数据存储容量的高集成产品标志着SK海力士NAND内存业务的全面启动。协和成功实施全球首例5G远程眼 19-10-06,SK海力士5月9日宣布,它向固态硬盘(SSD)控制器制造商提供了新产品的样品。该产品可以定义为现有96层charge trap flash (CTF) 4D NAND和公司的QLC设计技术的结合。QLC是将四位数据存储在NAND单元中,是数据存储的最小单元。NAND flash分为SLC(每个单元1位存储)、MLC(每个单元2位存储)、TLC(每个单元3位存储)和QLC(每个单元

  4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。中新社记者 张斌 摄据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层三维闪存芯片研发

  4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。中新社记者 张斌 摄据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层三维闪存芯片研发

  4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。中新社记者 张斌 摄据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层三维闪存芯片研发

  近几年间,全球内存闪存芯片不断走高,购买电脑,手机的成本不断增加,让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投入生产,也就是说在2019年,国内闪存内存芯片即将实现国产化。根据市场的一般规律,国产化存储芯片的出现也代表了明年存储芯片的价格会出现下降。这三家芯片厂商分别是长江存储、福建晋华集成电路公司(以下简称晋华公司),以及安徽合肥Innotro存储公司(之前被称为合肥睿力公司)。这也意味着中国大陆的存储芯片空白正式被填补。九龙赢钱料精选给力六肖《义务教育语文...。长江存储隶属于中国半导体巨头紫光集团。此前,该公司对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单,用于生产8GB容量的SD存储卡,订单规模为一万套32层3D NAND

  日前,长江存储的首台光刻机运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。据消息,这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机,陆续还会有多台运抵。在今年的4月5日,长江存储首批400万美元的精密仪器开始进场安装,标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。据悉,长江存储已经试产,产业链上不少企业都拿到了样片在测试。如顺利,今年四季度,中国首批拥有完全自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片有望实现量产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行

  Discover mmWave 走进 TI 毫米波雷达世界 快速获得设计技能

  打造健康生活,成就强劲工具 TE Connectivity (TE) 智慧生活子系统解决方案

  TE Connectivity推出工业机械传感器 承受更严苛工业环境考验

  恩智浦推出跨界MCU i.MX RT1170系列,开启GHz微控制器时代



上一篇:2019安徽上市公司高质量发展论坛将在合肥举行 下一篇:如何科学防晒? 关于防晒霜80%的人不知道的专业知识!